Fundamental and Applied Problems in Terahertz-related Devices and Technologies

Số trang: 152

Biên tập bởi:

  • Taiichi Otsuji (Đại học Tohoku, Nhật Bản),
  • Wojciech Knap (Viện Hàn lâm Khoa học Ba Lan, Ba Lan),
  • Maxim Ryzhii (Đại học Aizu, Nhật Bản), và
  • Michael Shur (Học viện Bách khoa Rensselaer, Hoa Kỳ)
  • Liên hệ ngay hôm nay (Thứ Hai-Thứ Bảy trước 17:00)
  • Bao gồm kế hoạch/ý tưởng kinh doanh tạo bởi The Goumo Việt Nam
  • Có thể chuyển giao nhanh chóng
  • Hỗ trợ linh hoạt
  • Dịch vụ khách hàng 24/7

 

Tuyển tập độc đáo này cung cấp một góc nhìn rộng và cập nhật về khoa học và công nghệ THz (Terahertz) — công nghệ nền tảng cho truyền thông 6G, phát hiện các tác nhân nguy hiểm sinh học và hóa học, phát hiện ung thư, giám sát các quy trình và sản phẩm công nghiệp, cũng như phát hiện mìn và chất nổ.

Với sự đóng góp của các nhà nghiên cứu lỗi lạc, tài liệu tham khảo hữu ích này liên kết khoa học THz và các ứng dụng THz, đồng thời kết hợp việc đánh giá chi tiết về tình hình công nghệ hiện tại với các kết quả nghiên cứu đột phá gần đây nhất.

Mục lục:

  • Tinh thể Plasmonic để Dò tìm, Khuếch đại và Tạo sóng Terahertz (Michael Shur, John Mikalopas, và Gregory Aizin)
  • Nhân công suất sóng Terahertz bằng cách kết hợp các dòng quang điện (Photocurrents) từ các mảng UTC-PD (Hussein Ssali, Yoshiki Kamiura, Ryo Doi, Hiroki Agemori, Ming Che, Yuya Mikami và Kazutoshi Kato)
  • Sự phụ thuộc nhiệt độ của phản hồi máy dò Bolometric Graphene Fet điện tử nóng đối với bức xạ Terahertz điều biến (Maxim Ryzhii, Victor Ryzhii, Chao Tang, Taiichi Otsuji, Vladimir Mitin, và Michael S Shur)
  • Cảm biến sử dụng bức xạ Terahertz (Michael Shur)
  • Máy dò Plasmonic Bolometric điện tử nóng Terahertz nhạy pha và nhạy góc dựa trên Fet với kênh Graphene và Lớp cổng composite H-BN/Black-P/H-BN (Victor Ryzhii, Chao Tang, Taiichi Otsuji, Michael S Shur, Maxim Ryzhii và Vladimir Mitin)
  • Tinh thể Plasmonic AlGaN/GaN cổng-lưới (Grating-Gate) để điều khiển sóng Terahertz (M Dub, P Sai, A Krajewska, D B But, Yu Ivonyak, P Prystawko, J Kacperski, G Cywiński, S Rumyantsev và W Knap, M Słowikowski và M Filipiak)
  • Định lượng điện áp vùng phẳng (Flat-Band Voltage) trong cấu trúc Si Metal-Oxide-Semiconductor: Đánh giá qua Quang phổ phát xạ Terahertz (TES) (Dongxun Yang và Masayoshi Tonouchi)
  • Dao động Terahertz điều khiển bằng dòng điện trong TeraFET Kim cương (Muhammad Mahmudul Hasan, Nezih Pala và Michael Shur)
  • Các mô hình SPICE nhỏ gọn cho TeraFET (Xueqing Liu, Trond Ytterdal và Michael Shur)
  • Chỉ mục tác giả (Author Index)

Đối tượng độc giả (Readership): Các nhà nghiên cứu, chuyên gia, học giả và sinh viên sau đại học trong các ngành kỹ thuật điện và điện tử, công nghệ nano và vật lý chất ngưng tụ.

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

Hãy là người đầu tiên nhận xét “Fundamental and Applied Problems in Terahertz-related Devices and Technologies”